产品展示
——二极管——
三极管——
IGBT——
ESD
——整流桥
——TVS——
专业从事半导体电子元器件研发、生产及销售。产品范围涵盖：二/三极管、MOSFET、ESD、LDO、IGBT等
电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能
晶体三极管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三极管在电路中放大 微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断
ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件
各种封装的整流桥，快恢复整流桥，肖特基整流桥
IGBT综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛
体积小，反应时间快
关于公司
——厦门晟鑫源科技有限公司成立于2005年,专业从事半导体电子元器件研发、生产及销售，产品范围涵盖：MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT等多种功率器件，常为客户提供高性能有特别要求的超快恢复整流器、低正向电压肖特基整流器、桥式整流器、瞬态电压抑制器、碳化硅肖特基二极管等产品.
近十年为更好的扩展功率器件的应用市场，开始进军多个领域.
以便更好的在功率器件的领域中有更多的突破。
新闻资讯—— 定期更新公司动态
新闻资讯——
2025-09-26
对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路；应用电路的峰什工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm；应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温Tjmax；小于肖特基二极管的正向额定电流If；对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用；肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向...
2025-04-30
通过以下四步来选择正确的MOSFET） 沟道的选择 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道 MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道 ...
2025-04-30
要求导通电压低时选锗二极管； 要求导通电压高时选硅二极管； 要求反向电流小时选硅二极管； 要求反向击穿电压高时选硅二极管； 要求耐高温时选硅二极管； 要求导通电流大时选面接触型二极管； 要求工作频率高时选点接触型二极管。
|
|